圖4 帶屏蔽電極的功率MOSFET器件橫截面圖

其他參數(shù)現(xiàn)在也變得更具相關(guān)性，例如，體二極管反向恢復、內(nèi)部柵極阻抗以及MOSFET的輸出電荷(QOSS)。低壓MOSFET產(chǎn)品現(xiàn)在開始針對二極管反向恢復以及輸出電容的最小化而優(yōu)化。在開關(guān)頻率和輸出電流較高時，這些損耗元件的重要性便更為明顯。

封裝阻抗、電感及其熱特性也對功耗有著重大影響，隨著目前器件尺寸越來越小，以及組合封裝解決方案在應用中開始逐漸流行，這一點便尤其顯著。

在DC/DC轉(zhuǎn)換器應用中，重負載條件下，因傳導損耗，效率主要由導通阻抗決定；而在輕負載條件下，控制效率的主要因素是柵極電荷、反向恢復電荷和輸出電容。圖5顯示了不同輸出負載條件下，各個元件的相對功耗。

圖5 DC/DC轉(zhuǎn)換器中各個元件的相對功耗

最近幾年來，功率轉(zhuǎn)換半導體解決方案的開發(fā)速度大大加快。2010年推出的器件的效率增益，特別是輕載條件下的效率增益，預計將有大幅度提高(如圖6所示)。

圖6 兩代功率MOSFET技術(shù)之間的效率比較

先進的高壓器件降低AC/DC級的功耗帶PFC的開關(guān)模式電源通常運用在數(shù)據(jù)中心，而現(xiàn)在也常見于電信電源和白色家電，以執(zhí)行第一級功率轉(zhuǎn)換。功率因數(shù)校正電路歷來都是采用整合了功率開關(guān)(MOSFET或IGBT)和升壓二極管的升壓轉(zhuǎn)換器拓撲。不過，由于引入了軟恢復二極管(如飛兆半導體的Hyperfast Stealth)，可以去掉或簡化緩沖電路，升壓轉(zhuǎn)換器可采用硬開關(guān)模式來實現(xiàn)。通過Stealth二極管或SiC肖特基二極管與SupreMOS等新超級結(jié)技術(shù)的結(jié)合，設(shè)計人員能夠獲得更低的傳導損耗和開關(guān)損耗，并簡化柵極驅(qū)動，減少EMI。

利用PFC不僅可以確保器件符合EN61000-3-2等規(guī)范標準，減少元件上的應力，從而減少諧波成分，增強可靠性；還能夠通過增大電源的最大功率來提高轉(zhuǎn)換效率。

AC/DC級的大多數(shù)大功率有源PFC設(shè)計都整合了一個連續(xù)電流模式(CCM)升壓轉(zhuǎn)換器拓撲，因為這種結(jié)構(gòu)十分簡單，并且具有很寬的AC輸入電壓范圍。另一種PFC工作模式，臨界導通模式(BCM)，則用于低功率級。CCM升壓轉(zhuǎn)換器(如圖1所示)會采用硬開關(guān)模式控制升壓二極管和開關(guān)器件，但是硬開關(guān)的缺點是二極管的反向恢復特性會增加開關(guān)器件的導通損耗，并產(chǎn)生EMI。

二極管的反向恢復特性決定了它如何從正向傳導狀態(tài)轉(zhuǎn)換到反向電壓阻斷狀態(tài)。如果反向恢復電流過于突然地從IRRM(最大反向恢復電流)返回到零，就會產(chǎn)生電壓尖刺和嚴重的EMI。電路設(shè)計人員會通過降低開關(guān)的導通di/dt，或者增加緩沖電路(snubber circuit)來減輕這種效應。在使用以前的二極管技術(shù)的年代，設(shè)計人員只能采用一個軟二極管或快速恢復二極管。不過，以往軟二極管技術(shù)的IRRM值很大，在二極管trr(反向恢復時間)期間會產(chǎn)生很大的導通損耗；同時，降低開關(guān)導通速度也會增加開關(guān)導通損耗。而增添緩沖電路又會增加成本和復雜性，并降低可靠性。除此之外，因為基本RC方案中緩沖電阻的功耗很大，使緩沖電路還常常涉及復雜的能量恢復方案。為解決這個問題，可采用一個Stealth II二極管來減小導通損耗。MOSFET超級結(jié)技術(shù)能夠極大地降低導通阻抗RDS(ON)，從而降低傳導損耗；而且超級結(jié)器件的速度非常快，可大大降低關(guān)斷損耗。只要采用像SupreMOS和Stealth-II二極管這樣的新技術(shù)，就能夠使軟開關(guān)PFC實現(xiàn)最大效率。

關(guān)鍵詞： 功率半導體 助力 數(shù)據(jù)中心 節(jié)能