當選擇晶體振蕩器時，必須針對輸出頻率、頻率穩(wěn)定度和溫度范圍、輸出電壓和功率、輸出波形，以及封裝尺寸和外形等各種因進行全盤考慮…

在設計中，大多數(shù)的電子系統(tǒng)需要某種振蕩器作為關鍵功能區(qū)塊。一些典型的用途包括：作為時脈，用于同步操作的數(shù)位系統(tǒng)中;用于接收器或發(fā)射器的穩(wěn)定RF訊號;用于精確測量的準確頻率參考;或用于精確計時的即時時脈。系統(tǒng)規(guī)格以及振蕩器必須如何發(fā)揮作用，將決定晶體振蕩器的大多數(shù)參數(shù)。

振蕩器中的關鍵元件是諧振器，它將控制頻率，以及確定所能實現(xiàn)的穩(wěn)定度。盡管采用電感-電容(LC)或電阻-電容(RC)諧振器實現(xiàn)的簡單振蕩器可滿足一些應用的要求，但是添加石英晶體將可大幅地將元件的頻率穩(wěn)定度提高好幾個數(shù)量級，而且所需的成本通常很小。

輸出頻率

任何振蕩器最基本的屬性都是它所產(chǎn)生的頻率。根據(jù)定義，振蕩器是接受輸入電壓(通常為直流電壓)并在某一頻率下產(chǎn)生重復交流(AC)輸出的元件。所需的頻率由系統(tǒng)類型以及如何使用該振蕩器所決定。

有些應用需要kHz范圍的低頻晶體。常見的例子是32.768kHz的手表晶體。 但是大多數(shù)的現(xiàn)有應用都需要更高頻率的晶體，范圍大約從不到10MHz到大于100MHz之間。

頻率穩(wěn)定度和溫度范圍

所需的頻率穩(wěn)定度由系統(tǒng)的要求決定。振蕩器的穩(wěn)定度可簡單地表述為：由于某些現(xiàn)象引起的頻率變化除以中心頻率。公式為：

穩(wěn)定度=頻率變化÷中心頻率

例如，如果振蕩器輸出頻率為10MHz，而且隨溫度變化了10Hz，則其溫度穩(wěn)定度為：10/10,000,000 = 1x10-6=1ppm。晶體振蕩器的典型穩(wěn)定度可以在100ppm至0.001ppm之間。頻率穩(wěn)定度通常視應用需求決定，并進而確定所需要的晶體振蕩器類型。振蕩器必須工作的溫度范圍是確定可達到穩(wěn)定度的主要因素。

晶體振蕩器類型

簡單晶體振蕩器(XO)： 這是最基本的類型，其穩(wěn)定度完全由晶體諧振器本身的固有特性決定。 在MHz范圍內(nèi)的較高頻率晶體由石英棒制成，其制造方式是即使環(huán)境溫度在-55℃至+125℃(-67°F至 +257°F)之間變化，也可提供相對穩(wěn)定的頻率。即使在這么寬的溫度范圍內(nèi)，適當切割的石英晶體也可實現(xiàn)±25ppm的穩(wěn)定度。與諸如隨溫度變化可達1%(10,000ppm)或更高的LC振蕩電路等其它被動諧振器相較，晶體振蕩器的性能已大幅提升了。但對于某些應用來說，即使25ppm也不夠好，因此必須采用額外措施。

溫度補償晶體振蕩器(TCXO)： 如果固有頻率與石英晶體的溫度穩(wěn)定度無法滿足應用要求，就可以采用溫度補償單元。TCXO使用溫度感測元件以及產(chǎn)生電壓曲線的電路，在整個溫度范圍內(nèi)，該電壓曲線與晶體的頻率變化趨勢完全相反，所以可理想地抵消晶體的漂移。根據(jù)TCXO的類型和溫度范圍，TCXO的典型穩(wěn)定度規(guī)范范圍為小于±0.5ppm至±5ppm。

恒溫控制晶體振蕩器(OCXO)： 對于某些應用，TCXO的頻率-溫度穩(wěn)定度指標仍無法滿足要求。在這些情況下，可能需要OCXO。顧名思義，具有烤腔的振蕩器將晶體加熱到更高溫度，但仍受控制，使得環(huán)境溫度即使變化大，晶體的溫度也保持穩(wěn)定。由于晶體的溫度和振蕩器的敏感部份變化很小，頻率-環(huán)境溫度穩(wěn)定度得到顯著改善。在環(huán)境溫度范圍內(nèi)，OCXO的穩(wěn)定度可以達到0.001ppm。然而，這種穩(wěn)定度的提升是以增加功耗為代價的，將熱量提供給烤腔當然需要能量。典型的OCXO可能需要1到5W的功率以維持內(nèi)部溫度。在開機后，還需要等待溫度和頻率穩(wěn)定的暖機時間，取決于晶體振蕩器的類型，暖機時長通常從1分鐘到10多分鐘。

壓控晶體振蕩器(VCXO)： 在一些應用中，期望能夠調諧或調整振蕩器的頻率，以便將其鎖相到鎖相環(huán)(PLL)中的參考，或可能用于調節(jié)波形。VCXO透過電子頻率控制(EFC)電壓輸入，提供了這項功能。對于某些專用元件，VCXO的調諧范圍規(guī)格可能在±10ppm到±100ppm(甚至更高)。

TCVCXO和VCOCXO： TCXO或OCXO通常包括EFC輸入電壓，使其得以進行調整，以便將輸出頻率精確地校準為標稱值。

圖1：通用振蕩器方塊圖

圖2：不同晶體振蕩器類型的頻率與溫度穩(wěn)定度

輸入電壓和功率

任何類型的晶體振蕩器通常都可以被設計為利用系統(tǒng)中已有的DC輸入供電電壓來操作。在數(shù)位系統(tǒng)中，通常希望使用電壓，以匹配系統(tǒng)中邏輯元件所用的電壓;該系統(tǒng)中將驅動振蕩器，使其得以直接相容于邏輯電平。+3.3V或+5V是這些數(shù)位單元的典型輸入。具有較高功率輸出的其它元件可以使用較高電壓，例如+12V或+15V。另一個考慮因素是為元件供電所需的電流量。XO或TCXO可能只需要幾mA，因此在低電壓系統(tǒng)中，其功耗可以小于0.01W。另一方面，在上電時，一些OCXO可能需要5W或6W。

輸出波形

然后要選擇輸出波形以匹配振蕩器將在系統(tǒng)中驅動的負載。最常見的輸出之一是CMOS，以驅動邏輯電平輸入。CMOS輸出將是在接地和系統(tǒng)的Vdd軌之間擺動的方波。對于高于約100MHz的較高頻率，通常使用差分方波。這些振蕩器具有兩個180°反相的輸出、具有快速上升和下降時間以及非常小的抖動。最通用的類型是LVPECL和LVDS。如果振蕩器用于驅動RF元件(如混頻器或其它具有50Ω輸入阻抗的元件)，則通常會指定某個功率級的正弦波輸出。盡管如果需要可以輸出更高功率，但一般產(chǎn)生的輸出功率通常在0dBm到+13dBm(1mW到20mW)之間。

封裝尺寸和外形

取決于振蕩器的類型和規(guī)格，對于晶體振蕩器封裝的要求將大相逕庭。簡單的時脈振蕩器和一些TCXO可以安裝在小至1.2×2.5mm2的封裝中;而一些OCXO可以大到50×50mm2，對某些特定設計，甚至可以更大。雖然一些通孔封裝，如雙列直插式4或14接腳類型仍然用于較大的元件(如OCXO或專用TCXO)，但目前大多數(shù)的設計都使用表面黏著封裝。這些表面黏著配置可以是密封的陶瓷封裝，或是基于FR-4、具有用于I/O建構的元件。

如上所述，當選定晶體振蕩器時，有許多不同的選擇必須考慮。然而，透過檢查使用晶體振蕩器的系統(tǒng)，最方便的選擇將變得顯而易見;例如可用于為晶體振蕩器供電的輸入電壓以及振蕩器的輸出將驅動的元件類型等因素。還必須考慮應用的其它限制條件，例如實體尺寸和操作環(huán)境。除了這些基本參數(shù)之外，針對特定應用，還有許多其它規(guī)格必須加以以考量。當全盤考慮這些因素后，將會找到一款滿足系統(tǒng)要求的晶體振蕩器。

關鍵詞： 晶體振蕩器