臺積電在4月14日第一季度的電話會議上表示，正全力以赴地開發(fā)下一代芯片制造工藝。目前這個半導體巨頭計劃在下半年量產3nm工藝芯片。其2nm工藝芯片最早將會在2025年投產。

在這次電話會議上，臺積電CEO魏哲家回應了大家兩個問題。一是關于臺積電應對通貨膨脹與整個經濟形勢的問題。魏哲家回答說，臺積電作為全球領先的代工企業(yè)，有能力應對市場波動。

二是有關臺積電2nm工藝節(jié)點的時間表問題，魏哲家表示，其公司的2nm工藝正在研發(fā)中，有信心在2nm工藝依舊保持技術領先地位，該工藝將會在2024年開始預生產，與于2025年正式投產。

據悉，臺積電將會在2nm工藝上采用GAA FET(全環(huán)繞柵極晶體管)，取代finFET (鰭式場效應晶體管)。目前三星為了和臺積電競爭，做法比較激進，將會在3nm工藝就用上GAA技術。而臺積電為了提供給客戶最成熟的技術、最好的效能及最佳的成本，保守的選擇finFET技術生產3nm工藝芯片。

臺積電預測，HPC(高性能計算)將會是其今年增長最快的領域。上一季度HPC占其收入的41%，僅比智能手機產生的40%略高。物聯網和汽車分別以了8%和5%的收入占比，排在第三和第四位。

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