據(jù) AnandTech 消息，英特爾現(xiàn)已分享了一些有關(guān)其下一代Intel4 工藝的消息。

據(jù)報(bào)道，該工藝將用于 2023 年發(fā)布的產(chǎn)品，它是英特爾第一個(gè)采用 EUV 的工藝。

Intel 4 將首先用于英特爾即將推出的 Meteor Lake 處理器，該處理器將屬于英特爾第 14 代酷睿家族。除了在工藝技術(shù)上取得顯著進(jìn)步外，Meteor Lake 還將成為英特爾的第一個(gè)基于 tile / chiplet 的客戶端CPU，使用 I / O 內(nèi)核、CPU 內(nèi)核和 GPU 內(nèi)核等tile 模塊。

英特爾公布的數(shù)據(jù)顯示，Intel 4 的鰭片間距降至 30 納米，是 Intel 7 的 34 納米間距尺寸的 0.88 倍。同樣，接觸柵之間的間距現(xiàn)在為 50nm，低于之前的 60nm。英特爾聲稱 Intel4 的密度是 Intel7 的2 倍，或者更具體地說(shuō)，晶體管的尺寸減少了一半。

此外，新工藝對(duì)金屬層進(jìn)行了重大更改。英特爾在其Intel 7 工藝的最底層用鈷代替了銅，該公司認(rèn)為出于晶體管壽命的原因，這是必要的。然而，從性能的角度來(lái)看，鈷并沒有那么好，長(zhǎng)期以來(lái)人們一直懷疑鈷是英特爾Intel 7的主要絆腳石之一。

對(duì)于 Intel 4，英特爾仍在使用鈷，但現(xiàn)在他們使用的不是純鈷，而是所謂的增強(qiáng)銅 (eCu)，即銅包覆鈷。

性能方面，報(bào)道稱在 0.65v 的等功率下，Intel 4 的頻率與 Intel7 相比提高了 21.5%。在 0.85v 及以上時(shí)，等功率增益接近 10%。

英特爾稱，Intel4 在電源效率方面的收益更大。在等頻( 2.1 GHz 左右)下，Intel 4的功耗降低了 40%。隨著頻率的增加，收益遞減。

關(guān)鍵詞： 下一代Intel4工藝 鰭片間距 酷睿家族 電源效率