與邏輯工藝一樣，內(nèi)存芯片工藝在進(jìn)入20nm節(jié)點(diǎn)之后也陷入了難以制造的境地，三星作為全球內(nèi)存一哥雖然走在了技術(shù)開發(fā)的前列，但是在新一代內(nèi)存研發(fā)上也面臨困難，最新消息稱13nm工藝的內(nèi)存已經(jīng)宣告失利。

簡(jiǎn)單說下，內(nèi)存工藝在20nm節(jié)點(diǎn)之后就有不同斷代方法，之前用的是1x、1y、1z，后來又有了1a、1b、1c工藝，不過三星、SK海力士及美光三大內(nèi)存巨頭的實(shí)際工藝也不完全是這樣，有時(shí)公布的還是數(shù)字+nm命名的，反正內(nèi)存工藝命名是有些混亂的。

總體來說，三星在DRAM工藝上是最先進(jìn)的，2020年率先研發(fā)成功1z工藝內(nèi)存，大概是15nm級(jí)別的，2021年又宣告研發(fā)成功1a工藝內(nèi)存，也就是14nm工藝的，還首次使用了EUV光刻工藝。

再往下就是1b工藝了，大概是12-13nm級(jí)別，三星去年宣布成立專門的研發(fā)團(tuán)隊(duì)攻克1b工藝內(nèi)存，然而最新消息稱三星已經(jīng)中斷了研發(fā)，13nm級(jí)別的內(nèi)存被間接承認(rèn)失敗。

關(guān)鍵詞： 中斷研發(fā) 全球內(nèi)存 技術(shù)開發(fā) 光刻工藝