現在，三星宣布開始大規模生產236層3D NAND閃存芯片，并將其命名為第8代V-NAND，方案能帶來2400MTps 的傳輸速度(對應的SSD傳輸速度輕松超過12GBps)。
得益于存儲容量更大。V-NAND V8閃存的厚度依然可以控制在合理水平，封裝512GB容量也不超過0.8mm，可以用于新一代智能手機。
按照三星的表述，與現有相同容量的閃存芯片相比，新一代3D NAND可提高提高20%的單晶生產率，從而進一步降低了成本，這可能意味著大家有望買到同容量更便宜的固態硬盤。
在未來，三星的V-NAND閃存堆棧層數還會進一步提升，路線圖中的目標是超過500層，這被視為3D閃存的極限，不過三星還在想法突破，最終能制造1000層堆棧的3D閃存。
所以現在2TB 799便宜只是開始，存儲廠商的內卷才剛剛開始...
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