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        世界新資訊:研究發現新型半導體 或推動低功耗電子設備發展
        時間:2022-07-19 16:01:05


        (資料圖)

        蓋世汽車訊 據外媒報道,賓夕法尼亞州立大學(The Pennsylvania State University)和麻省理工學院(MIT)合作制造出一種新型半導體硒化錫(SnSe)。該半導體厚度僅為幾個原子,并以不尋常的方式與光相互作用。與當前電子產品相比,這種新的半導體可降低計算和通信新技術所需的功耗。

        圖片來源:MIT

        硒化錫是一種二元化合物,由錫和硒以1:1的比例組成。該新型半導體將有助于開發稱為“光子學”的新型電子器件。傳統電子學使用電子來存儲、操控和傳輸信息,而該電子器件使用的是光粒子或光子。該材料與光具有特殊的相互作用,使其在電子產品中具有巨大的應用潛力。

        關鍵詞: 電子器件 相互作用

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