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蓋世汽車訊 據外媒報道，賓夕法尼亞州立大學（The Pennsylvania State University）和麻省理工學院（MIT）合作制造出一種新型半導體硒化錫（SnSe）。該半導體厚度僅為幾個原子，并以不尋常的方式與光相互作用。與當前電子產品相比，這種新的半導體可降低計算和通信新技術所需的功耗。

圖片來源：MIT

硒化錫是一種二元化合物，由錫和硒以1:1的比例組成。該新型半導體將有助于開發稱為“光子學”的新型電子器件。傳統電子學使用電子來存儲、操控和傳輸信息，而該電子器件使用的是光粒子或光子。該材料與光具有特殊的相互作用，使其在電子產品中具有巨大的應用潛力。

關鍵詞： 電子器件 相互作用